GigaDevice y Hefei RuiLi invierten USD$ 2,71 mil millones para desarrollo de DRAM de 19nm

GigaDevice Semiconductor con sede en China y Hefei RuiLi Integrated Circuit Manufacture (anteriormente Hefei ChangXin IC) se unirán para desarrollar tecnología de proceso DRAM de 19nm para la producción de obleas de 12 pulgadas con una inversión total de CNY…