Samsung anunció que se está produciendo en masa la primera Universal Flash Storage para móviles con una capacidad de 256 gigabytes(GB) basado en el estándar (UFS) 2.0, para los dispositivos móviles de gama alta de la próxima generación. La memoria presentada recientemente cuenta con un rendimiento excepcional para dispositivos móviles que supera a la de un típico SSD basada en SATA para PCs.
256GB UFS para móviles
Los nuevos chips de memoria UFS son extremadamente compactos, incluso más pequeño que una tarjeta micro SD externa, dando mayor flexibilidad a los diseñadores de teléfonos inteligentes.
La nueva memoria UFS de Samsung satisface necesidades de velocidad ultra rápida, de gran capacidad de datos y el tamaño del chip compacto. Se basa en chips de memoria flash de la compañía más avanzada V-NAND y un controlador de alto rendimiento diseñado especialmente.
La memoria UFS maneja hasta 45.000 y 40.000 entrada/salida de operaciones por segundo (IOPS) para la lectura aleatoria y escritura, respectivamente, más de dos veces más rápido que los 19.000 y 14.000 IOPS de la generación anterior de la memoria UFS. Sobre la lectura secuencial, el de 256GB UFS se aprovecha de dos carriles de transferencia de datos para transferir datos a velocidades de hasta 850 MB/s. En términos de escritura secuencial, y soporta hasta 260 MB/s, que es aproximadamente tres veces más rápido que el de alto rendimiento tarjetas micro SD externas.
Como resultado, la nueva memoria de 256 GB UFS es capaz de soportar la reproducción de vídeo en ultra HD sin problemas y funcionalidad multitarea en los dispositivos móviles de pantalla grande, como ver películas 4K Ultra HD en una pantalla dividida, mientras que busca archivos de imagen o descarga de videos. Su capacidad de 256 GB también permite que una cantidad sin precedentes de almacenamiento de datos en el propio dispositivo. Por ejemplo, un chip de 256GB UFS puede almacenar alrededor de 47 películas completas en alta definición.
