GigaDevice Semiconductor con sede en China y Hefei RuiLi Integrated Circuit Manufacture (anteriormente Hefei ChangXin IC) se unirán para desarrollar tecnología de proceso DRAM de 19nm para la producción de obleas de 12 pulgadas con una inversión total de CNY 18,000 millones (Unos USD $ 2,71 mil millones), una movida ampliamente prevista para marcar el comienzo de una nueva etapa de competencia en el mercado DRAM de China, según fuentes de la industria.
GigaDevice Semiconductor se une con Hefei RuiLi Integrated Circuit Manufacture para desarrollar tecnología DRAM de 19nm
El acuerdo permitirá a las dos firmas competir conjuntamente contra los otros dos actores principales en la industria china de DRAM, Yangtze Memory Technology bajo Tsinghua Unigroup, y Fujian Jinhua Integrated Circuit afiliado a United Microelectronics (UMC) con sede en Taiwán, para ganar las coronas en los campos de DRAM, NOR flash y 2D NAND en China.
La colaboración se basa en un acuerdo de cooperación de cinco años firmado entre Hefei Industry Investment Group (HIIG), que posee totalmente Hefei Ruili IC, y GigaDevice con sede en Pekín, y el primero contribuye con el 80% de la inversión total de CNY 18 mil millones y el último 20%.
Es probable que el emergente GigaDevice-Hefei Ruili desencadene feroces competiciones en el mercado chino de memorias. Como Yangtze Memory Technology bajo Tsinghua Unigroup, se centra principalmente en el desarrollo de productos 3D NAND, también ha tenido a Big Fund como su principal accionista, por lo tanto ambos campos competirán por más recursos financieros del fondo que aún no se han observado.
Mientras tanto, GigaDevice y Hefei Ruili están programados para completar el desarrollo y prueba de la tecnología de proceso de 19nm con una tasa de rendimiento del 90% para finales de 2018, con un cronograma bastante similar al despliegue similar de DRAM en el campamento UMC-Jinhua. En consecuencia, cualquiera de ellos que lidere el lanzamiento de la producción en volumen de DRAM capturará firmemente el título como el proveedor No. 1 de DRAM en China, dijeron las fuentes.
